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Nouveau 9900 Summit

À suivre cet automne: Nouveau semi-conducteur développé par Mitsubishi qui s’appelle SiC Power Modules, fabriqué à l’aide d’un nouveau semi-conducteur à base de Silicone Carbide.
Quatre améliorations techniques significatives:

  • Réduction des pertes de puissance : Le SiC a une résistance de bris presque dix fois plus élevée que le silicone.
  • Opérations haute température : Lorsque la température d’opération augmente, les électrons sont excités dans la bande de conduction et le courant de fuite augmente. Par moment, ce phénomène cause des comportements anormaux. Toutefois, les modules SiC ont trois fois la bande d’opération sécuritaire du silicone, prévenant les fuites de courant et permettant le fonctionnement fiable à haute température. 
  • Commutation haute vitesse : Avec Sic, compte tenu de la haute résistance dialectrique, la perte de puissance en haute tension est réduite. Il est donc possible d’utiliser des diodes Barrier Schottky (SBD). Ces diodes sont incompatibles avec le silicone. Les SBD peuvent opérer à haute vitesse parce qu’elles n’accumulent pas d’énergie, ce qui permet des de réaliser une commutation à vitesse plus élevée.
  • Dispersion de la chaleur : SiC a une conductivité trois fois plus élevée que le silicone, ce qui améliore la dispersion de la chaleur.

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